1.2V接口革命!兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
2025-11-212025年11月18日,北京——国产半导体龙头 兆易创新 (GigaDevice,股票代码603986)正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借 1.8V核心+1.2V I/O 的创新电压设计,可直接对接1.2V低功耗SoC,无需额外电平转换器,一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点,为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。 作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作,GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品
1.2V接口革命!兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
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1.2V接口革命!兆易创新GD25NX系列闪存储存芯片
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标题:GD兆易创新GD32A503CCT3 Arm Cortex M33芯片的技术和方案应用介绍 GD兆易创新公司的GD32A503CCT3是一款基于Arm Cortex M33核心的芯片,该芯片以其强大的性能和低功耗特性,在嵌入式系统领域得到了广泛的应用。本文将对该芯片的技术特点和应用方案进行介绍。 一、技术特点 1. Arm Cortex M33核心:GD32A503CCT3采用了先进的Arm Cortex M33核心,主频高达120MHz,具有高速的运行速度和优秀的指令集架构,能够满足各
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