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- 发布日期:2024-01-09 17:05 点击次数:174
QPD1028
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编号:
772-QPD1028
制造商编号:
QPD1028
制造商:
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
ECAD模型:
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完整卷轴
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卷轴和剪切带
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卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)
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特色产品
MORNSUN(金升阳)电源模块/数字隔离IC芯片 功率附加效率为57%(1dB时)。
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz 增益: 19.8 dB Vds-漏源极击穿电压: 65 V Id-连续漏极电流: 19 A 输出功率: 750 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C Pd-功率耗散: 400 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: NI-780 商标: Qorvo 湿度敏感性: Yes 产品类型: RF JFET Transistors 系列: QPD1028 工厂包装数量: 工厂包装数量: 18 子类别: Transistors
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产品合规性
USHTS: 8541497080 ECCN: EAR99
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QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管
Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管是分立式碳化硅基氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管),工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。这些器件具有59dBm饱和输出功率、18dB大信号增益和70%漏极效率。QPD1028和QPD1028L晶体管内部预匹配,可实现最佳性能,支持连续波和脉冲操作。
- Qorvo CMD328K32024-01-09
- Qorvo CMD319C32024-01-09