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Qorvo QPD1028
发布日期:2024-01-09 17:05     点击次数:174

QPD1028

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编号:

772-QPD1028

制造商编号:

QPD1028

制造商:

Qorvo

Qorvo

客户编号:

说明:

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

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完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴,请按?的倍数订购。


卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。


卷轴和eel™ (添加 ¥15.00 卷轴费)

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

QORVO

MORNSUN(金升阳)电源模块/数字隔离IC芯片 功率附加效率为57%(1dB时)。

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规格

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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS:  详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 工作频率: 1.2 GHz to 1.4 GHz 增益: 19.8 dB Vds-漏源极击穿电压: 65 V Id-连续漏极电流: 19 A 输出功率: 750 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C Pd-功率耗散: 400 W 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: NI-780 商标: Qorvo 湿度敏感性: Yes 产品类型: RF JFET Transistors 系列: QPD1028 工厂包装数量: 工厂包装数量: 18 子类别: Transistors

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在大部分情况下,非常乐意拆分“工厂包装数量”。 (请参见最低订货量和倍数以确认订购要求)

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产品合规性

USHTS: 8541497080 ECCN: EAR99

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QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管

Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化镓晶体管是分立式碳化硅基氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管),工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。这些器件具有59dBm饱和输出功率、18dB大信号增益和70%漏极效率。QPD1028和QPD1028L晶体管内部预匹配,可实现最佳性能,支持连续波和脉冲操作。



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