2025年11月18日，北京——国产半导体龙头兆易创新（GigaDevice，股票代码603986）正式推出第三代双电压高性能xSPI NOR Flash产品——GD25NX系列。该系列凭借1.8V核心+1.2V I/O的创新电压设计，可直接对接1.2V低功耗SoC，无需额外电平转换器，一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点，为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。

作为兆易创新在双电压存储领域的全新力作，GD25NX系列将“高速”与“节能”做到极致平衡。产品支持八通道SPI模式，STR与DTR时钟频率均达200MHz，数据吞吐量峰值突破400MB/s；写入时间典型值仅0.12ms，扇区擦除时间27ms，相较常规1.8V八通道Flash，写入速度提升30%，擦除速度提升10%，完美匹配1.2V SoC对快速响应的需求。

低功耗表现同样亮眼。在八通道STR 200MHz模式下，GD25NX系列读取电流低至16mA；DTR 200MHz模式下也仅24mA，1.2V I/O接口设计使其读功耗较传统1.8V产品降低50%，为依赖电池供电的可穿戴设备、便携式AI终端等，大幅延长续航时间。

高可靠性是工业与汽车场景的核心诉求。GD25NX系列内置ECC算法与CRC校验功能，从硬件层面保障数据传输与存储的完整性， 亿配芯城 显著延长产品使用寿命；同时支持DQS功能，为高速信号传输提供稳定保障，完全满足数据中心服务器、车载信息娱乐系统等对稳定性的严苛要求。

“GD25NX系列的诞生，开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局。”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，产品设计紧贴主流SoC的低电压接口趋势，通过简化电路设计提升集成度，帮客户降低BOM成本。未来兆易创新将持续丰富该系列的容量与封装选择，进一步覆盖多元应用需求。

目前，GD25NX系列提供64Mb与128Mb两种容量，封装涵盖TFBGA24（8x6mm）及WLCSP（4x6 ball array），适配不同终端产品的空间需求。其中128Mb规格的GD25NX128J已开放样片评估，64Mb规格GD25NX64J样片也在加紧筹备中，客户可通过当地授权销售代表获取技术资料与报价。

作为全球领先的Fabless芯片供应商，兆易创新已构建起存储器、微控制器、传感器等核心产品生态，通过ISO26262:2018 ASIL D等多项权威认证，服务网络遍布全球。此次GD25NX系列的推出，不仅巩固了其在存储领域的技术优势，更将助力下游产业打造更高效、可靠的低功耗终端产品。

亿配芯城（ICgoodFind）总结:兆易创新GD25NX系列精准匹配低功耗需求，技术突破将加速1.2V SoC终端落地，为存储产业链赋能。

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